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STD2NB80中文资料

STD2NB80图片

STD2NB80外观图

  • 大小：92.22KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：N - CHANNEL 800V - 4.6 ohm - 1.9A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：800 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 30 V
  • 漏极连续电流：1.9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.5 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-252
  • 封装：Tube
  • 下降时间：17 ns
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：55 W
  • 上升时间：10 ns
  • 工厂包装数量：75

STD2NB80供应商

更新时间:2023-01-02 21:25:18
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