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STD2NB80中文资料

STD2NB80图片

STD2NB80外观图

  • 大小:92.22KB
  • 厂家:STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述:N - CHANNEL 800V - 4.6 ohm - 1.9A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:800 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 30 V
  • 漏极连续电流:1.9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):6.5 Ohms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-252
  • 封装:Tube
  • 下降时间:17 ns
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:55 W
  • 上升时间:10 ns
  • 工厂包装数量:75

STD2NB80供应商

更新时间:2023-01-02 21:25:18
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